晶圓雙雄聯電今(14)日宣布加入IBM技術開發聯盟，共同開發10奈米CMOS製程技術。聯電表示，擁有IBM的支援與know-how，可持續提升內部自行研發的14奈米FinFET技術，針對行動運算與通訊產品，提供富競爭力的低耗電優化技術。
IBM半導體研發副總Gary Patton表示：「IBM聯盟成立至今已逾十年，聯盟夥伴可整合運用我們的專業知識，團隊研究合作與創新的技術研發，藉此滿足對先進半導體應用產品與日俱增的需求，而聯電的加入，將使聯盟的實力更加強大。」
聯電執行長顏博文指出，IBM擁有領先的半導體技術領，聯電選擇與IBM密切合作，將借重其深厚的技術專業來縮短聯電在10奈米與FinFET的研發週期。
接下來聯電將指派工程團隊加入位於美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10奈米研發計畫，而14奈米FinFET與10奈米未來的製造，則將於聯電位在台灣南科的研發中心進行。
除此之外，聯電近日也宣布為了就近服務當地客戶，另成立韓國業務辦公室，目前聯電與韓國的IC設計公司，包括在電源管理、顯示器驅動、觸控面板晶片，與尖端製程上皆有相當密切的合作。
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